外部防雷裝置的原理——避雷針廠家
按電磁兼容的原理把信息系統所在建筑物或構筑物按需要保護的空間由外到內分為不同的雷電防護區(LPZ),以確定各 LPZ空間的雷擊電磁脈沖的強度及應采取的防護措施。雷電防護區可分為：
直擊雷非防護區（LPZ OA） ：本區內的各物體都可能遭到直接雷擊和導走全部雷電流；本區內的電磁場強度沒有衰減。本區內的各類物體完全暴露在外部防雷裝置的保護范圍之外，都可能遭到直接雷擊；本區內的電磁場未得到任何屏蔽衰減，屬完全暴露的不設防區。
LPZ0A——天空、沒有避雷針保護的大樓外部、面沒有頂棚等覆蓋物的地面... 等等雷電可能會直接擊中的的空間。如大樓頂部避雷針保護范圍之外的空間。
直擊雷防護區（LPZ 0B）：本區內的各物體不可能遭到大于所選滾球半徑對應的雷電流直接雷擊，但本區內的電磁場強度沒有衰減。本區內的各類物體處在外部防雷裝置保護范圍之內，應不可能遭到大于所選滾球半徑雷電流直接雷擊；但本區內的電磁場未得到任何屏蔽衰減，屬充分暴露的直擊雷防護區。
LPZ0B——沒有避雷針保護的非屏蔽大樓內部、有避雷針保護的大樓天臺受保護部分、避雷線下的電纜等等雷電不易直接擊中的 LEMP 沒有衰減空間。如大樓頂部避雷針保護范圍之內的空間和沒有屏蔽的大樓內部或有屏蔽大樓內部的窗口附近。
第一屏蔽防護區（LPZ1）： 本區內的各物體不可能遭到直接雷擊，流經各類導體的電流比 LPZ 0B 區進一步減小；且由于建筑物的屏蔽措施，本區內的電磁場強度也已得到了初步的衰減。LPZ1——雷電不易直接擊中，但 LEMP 因屏蔽而衰減的空間。如上述屏蔽大樓內部（不包含窗口附近）。
第二屏蔽防護區（LPZ 2）：為進一步減小所導引的電流或電磁場而增設的后續防護區。LPZ2——在 LPZ1區內，再次屏蔽的空間。如上述屏蔽大樓的另外設立的屏蔽網絡中心。
第三屏蔽防護區（LPZ 3）： 需要進一步減小雷擊電磁脈沖，以保護敏感設備的后續防護區。LPZ3——在LPZ2 區內，再次屏蔽的空間。如上述屏蔽網絡中心內的機器金屬外殼內部，或接地的機柜內部。
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